| 名称 |
专利号 |
申请者 |
地址 |
| 薄膜型二氧化锡气敏元件及其制造方法 | CN85100030 | 天津大学 | 天津市南开区七里台 |
| 太阳能重复发电的方法与装置 | CN85100099 | 清华大学 | 北京市海淀区清华园 |
| 离子注入半导体瞬时退火设备 | CN85100131 | 清华大学 | 北京市海淀区清华园 |
| 光敏PN结侧向注入电器件的间接耦合方法 | CN85100228 | 武汉大学 | 湖北省武汉市武昌珞珈山 |
| 两色分波硅彩色传感器 | CN85100237 | 武汉大学 | 湖北省武汉市武昌珞珈山 |
| 台面半导体器件玻璃钝化工艺 | CN85100410 | 山东师范大学 | 山东省济南市文化东路 |
| 防止铁电陶瓷器件相变开裂的处理方法 | CN85100477 | 中国科学院上海硅酸盐究所 | 上海市长宁路865号 |
| 台面型半导体器件的制造方法 | CN85100501 | 中国科学院上海冶金研究所; 上海无线电29厂 | 上海市长宁路865号 |
| 半导体发光器件的发射腔及其工艺 | CN85100503 | 中国科学院上海冶金研究所 | 上海市长宁路865号 |
| 制备半导体化合物薄膜的射频溅射法 | CN85100504 | 中国科学院上海冶金研究所 | 上海市长宁路865号 |
| 改性铌酸铅钡钠压电陶瓷材料 | CN85100507 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 上海市长宁路865号 |
| 气载掺杂剂掺杂非晶硅方法 | CN85100512 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 上海市长宁路865号 |
| 钛酸铋钠钡系超声用压电陶瓷材料 | CN85100513 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 上海市长宁路865号 |
| 复合热释电红外探测器 | CN85100519 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 上海市中山北一路420号 |
| 一种定向凝固生长太阳能电池用的多晶硅锭工艺 | CN85100529 | 复旦大学 | 上海市邯郸路220号 |
| 一种双层结构的低压化学蒸汽淀积外延炉管装置 | CN85100531 | 复旦大学 | 上海市邯郸路220号 |
| 变折射率薄膜的单源真空沉积法 | CN85100569 | 南京工学院 | 江苏省南京市四牌楼2号 |
| 集成电路气密封装法 | CN85100866 | 国营八七八厂 | 北京市903信箱 |
| 半导体表面钝化方法 | CN85100896 | 北京电子二厂 | 北京东郊陈各庄 |
| 制造半导体集成电路的隔离方法 | CN85100998 | 北京电子一厂 | 北京市东郊陈各庄 |
| 半导体阀门 | CN85101064 | 瑞典通用电气公司 | 瑞典韦斯特罗斯 |
| 厚膜电路用配方 | CN85101180 | 株式会社日立制作所 | 日本东京都千代田区神田骏河台四丁目6番 |
| 太阳电池组件 | CN85101253 | 夏普公司 | 日本大阪市阿倍野区长池町22-22 |
| 半导体基片 | CN85101284 | 夏普公司 | 日本大阪市阿倍野区长池町22-22 |
| 稳压二极管 | CN85101319 | 株式会社日立制作所 | 日本东京都千代田区神田骏河台四丁目6番 |
| 太阳电池组件用接线盒 | CN85101326 | 夏普公司 | 日本大阪市阿倍野区长池町22-22 |
| 太阳电池装置 | CN85101373 | 夏普公司 | 日本大阪市阿倍野区长池町22-22 |
| 带有MIS(金属-绝缘体-半导体)_集成电容器的单片集成电路 | CN85101388 | 德国ITT工业有限公司 | 联邦德国弗赖布尔格 |
| 具有控制电极的半导体器件 | CN85101390 | 株式会社日立制作所 | 日本东京千代田区神田骏河台四丁目6番 |
| 用于数字化电子设备的集成电路器件 | CN85101533 | 索尼公司 | 日本东京都品川区北品川6丁目7番35号 |
| 用在数字式电子仪器方面的集成电路 | CN85101635 | 索尼公司 | 日本东京都品川区品川6丁目7_番35号 |
| 具有改善群延时特性的压电谐振元件 | CN85101648 | 株式会社村田制作所 | 日本京都府 |
| 包含互补场效应晶体管的集成电路 | CN85101787 | 菲利浦光灯制造公司 | 荷兰艾恩德霍芬哥纳云特斯道一号 |
| 在局部提供凹陷氧化层的硅半导体器件制造方法 | CN85101827 | 菲利浦光灯制造公司 | 荷兰BA安特何分 |
| 对模糊现象不敏感的图像传感器及其制造方法 | CN85101868 | 菲利浦光灯制造厂 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 电荷耦合器件 | CN85102150 | 菲利浦光灯制造公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 高抗干扰HP-MOS系列集成电路 | CN85102308 | 郑州大学 | 河南省郑州市郑州大学物理系 |
| 用反应气体淀积的材料制作半导体器件的方法及其设备 | CN85102326 | 菲利浦光灯制造公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 半导体集成电路板的冷却设备 | CN85102328 | 日立制作所株式会社 | 日本东京都千代田区 |
| 前截止热释电探测器 | CN85102846 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 上海市中山北一路420号 |
| 太阳能电池密封组件的结构 | CN85102909 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府门真市大字门真1006番地 |
| 二维磁矢量磁敏器件 | CN85103006 | 黑龙江大学 | 黑龙江省哈尔滨市南岗区学府路24号 |
| 抗辐射半导体器件 | CN85103269 | 株式会社日立制作所 | 日本东京都千代田区神田骏河台四丁目6番地 |
| 光电池 | CN85103355 | 三洋电机株式会社 | 日本大阪 |
| 半导体器件及装置 | CN85103373 | 美国标准电气公司 | 美国纽约州纽约市公园320号 |
| 动态随机存取存贮器单元(dRAM)和生产方法 | CN85103376 | 得克萨斯仪器公司 | 美国得克萨斯州 |
| 半导体装置的导线材料 | CN85103501 | 株式会社神户制钢所 | 日本兵库县神户市中央区胁浜町1丁目3-18 |
| 在材料(例如半导体材料)中加工亚微型槽的方法以及用这种方法制成的器件 | CN85103535 | 菲利普光灯制造公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 半导体器件的制造方法 | CN85103578 | 菲利普光灯制造公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 采用氮族元素聚合物半导体的薄膜场效应晶体管 | CN85103742 | 斯托弗化学公司 | 美国纽约10522多布斯.费里 |
| 制造高灵敏度光敏三极管的方法 | CN85103782 | 武汉大学 | 湖北省武汉市武昌珞珈山 |
| 高密度动态随机存取存储器(RAM)的槽式电容器的制造方法 | CN85103830 | 得克萨斯仪器公司 | 美国得克萨斯州达拉斯75265 |
| 具有金属反射腔的半导体平面发光器件 | CN85104012 | 复旦大学 | 上海市邯郸路220号 |
| 在量子阱器件中的磷势垒和高磷多磷化合物势垒 | CN85104043 | 斯托弗化学公司 | 美国纽约10522多布斯费里 |
| 半导体工艺 | CN85104071 | 标准电话电报公共有限公司 | 英国伦敦WC2R_1DU斯特兰德190 |
| 全温区工作的硅晶体管的制造技术 | CN85104089 | 北京工业大学; 辽宁大学 | 北京市东郊九龙山 |
| 具有冷却装置的半导体组件 | CN85104187 | 株式会社日立制作所 | 日本东京都千代田区神田骏河台四丁目6番 |
| 湿敏元件及其制造法 | CN85104273 | 株式会社岛津制作所 | 日本京都市 |
| 电缆 | CN85104311 | 标准电话和电缆公共有限公司 | 英国伦敦WCIR_IDU |
| 在硅衬底上形成隔离硅区和场效应器件的工艺过程 | CN85104551 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 带动态控制的电荷耦合半导体器件 | CN85104640 | 菲利浦光灯制造公司 | 荷兰艾恩德霍芬 |
| 金属－氧化物－半导体后部工艺 | CN85104650 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 金属氧化物半导体绝缘工艺 | CN85104651 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 在光电器件中为波导所用的磷族元素化物的膜 | CN85104652 | 斯托弗化学公司 | 美国康涅狄格州西港 |
| 电子线路器件的封装及其制造方法和设备 | CN85104878 | 米尔顿·伊万·罗斯 | 美国宾夕法尼亚州19041哈弗德学院大街400号 |
| 耐热薄膜光电转换器 | CN85104921 | 钟渊化学工业株式会社 | 日本大阪府大阪市北区中之岛三丁目2番4号 |
| 一种制造电子器件的方法 | CN85104934 | 株式会社半导体能源研究所 | 日本东京都世∴区北鸟山7丁目21番21号 |
| 半导体集成电路和为其设计电路图形的方法 | CN85104935 | 富士通株式会社 | 日本211神奈川县川崎市中原区上小田中1015 |
| 半导体器件及其制造 | CN85104952 | 标准电话电报公共有限公司 | 英国伦敦 |
| 晶体管 | CN85105124 | 三洋电机株式会社; 东京三洋电机株式会社 | 日本大阪府守口市 |
| 可控制接通的硅可控整流器 | CN85105483 | 通用电气公司 | 美国纽约 |
| 化合物半导体平面结型器件欧姆接触的制备方法 | CN85105699 | 中国科学院上海冶金研究所 | 上海市长宁路865号 |
| 高速硅光敏三极管 | CN85105936 | 武汉大学 | 湖北省武汉市武昌珞珈山三区160号 |
| 闸门电路断开可控硅 | CN85105982 | 株式会社日立制作所 | 日本东京都千代田区神田骏河台四丁目6番地 |
| 用于制造半导体器件的装置 | CN85106110 | 株式会社东芝 | 日本神奈川县川崎市 |
| 半导体器件的制造方法 | CN85106463 | 三洋电机株式会社 | 日本大阪府守口市京阪本通2丁目18番地 |
| 光生伏打器件及其制造方法 | CN85106598 | 三洋电机株式会社 | 日本大阪府守口市京阪本通2丁目18番地 |
| 高热稳定性的功率器件的封装方法 | CN85106736 | 北京工业大学 | 北京市东郊九龙山 |
| 功率器件的封装方法 | CN85106739 | 北京工业大学 | 北京市东郊九龙山 |
| 半导体器件 | CN85106895 | 株式会社东芝 | 日本神柰川县川崎市 |
| 用于算术运算和显示的集成电路 | CN85106930 | 株式会社东芝; 托斯巴克计算机系统有限公司 | 日本神奈川县川崎市 |
| 半导体器件及其制造法 | CN85107077 | 株式会社东芝 | 日本神奈川县川崎市幸区堀川镇72番地 |
| 光电池板 | CN85107080 | 标准石油公司 | 美国俄亥俄州克利夫兰 |
| 制做光电组件的装置 | CN85107093 | 标准石油公司 | 美国俄亥俄州克利夫兰 |
| 塑料封装的半导体器件 | CN85107248 | 联邦德国ITT工业股份有限公司 | 联邦德国7800弗赖堡邮政号840翰斯邦特街19号 |
| 光电池组的二极管旁路保护装置 | CN85107256 | 标准石油公司 | 美国俄亥俄州克利夫兰 |
| 二维电子气发射极半导体器件 | CN85107336 | 南京电子器件研究所 | 江苏省南京市中山东路524号 |
| 用于无掩模被覆金属方法的扩散隔离层 | CN85107549 | 国际商用机器公司 | 美国纽约州10504阿蒙克 |
| 富含镉的Ｈｇ1-xＣｄxＴｅ的薄层异质结光电池和Ｈｇ1-xＣｄxＴｅ的电沉积法 | CN85107575 | 索布奥商业发展公司; 英国石油光电设备制造有限公司 | 美国俄亥俄州克利夫兰 |
| 等温功率晶体管的制作工艺 | CN85107627 | 高光渤 | 北京市东郊南磨房北工大宿舍109楼152室 |
| 金属层制版印刷术中作抗反射涂层用的无定形硅 | CN85107650 | 英特尔公司 | 美国加利福尼亚州圣克拉拉.鲍尔斯路3065号 |
| 具有埋置接点的集成电路制造工艺 | CN85107802 | 得克萨斯仪器公司 | 美国得克萨斯州75265达拉斯市.北中埃克斯普勒斯韦路13500号 |
| MOS_场效应晶体管的栅压温度筛选方法 | CN85107886 | 山东大学 | 山东省济南市郊区洪家楼5号 |
| 多结半导体器件 | CN85107988 | 钟渊化学工业株式会社 | 日本大阪府大阪市北区中之岛3丁目2番4号 |
| 水平结构晶体管及其制作方法 | CN85108008 | 得克萨斯仪器公司 | 美国得克萨斯州75265达拉斯邮政信箱225474 |
| 含氟的P型掺杂微晶半导体合金及其制造方法 | CN85108047 | 索冯尼克斯太阳能系统公司 | 美国俄亥俄州索伦.科克伦路6180号 |
| 具有聚光反射器的光电池阵列 | CN85108094 | 通用电气公司 | 美国纽约州10022纽约 |
| 半导体器件 | CN85108134 | 索尼公司 | 日本东京都品川区北品川6丁目7番35号 |
| 在一块半导体晶片上涂盖一层感光材料的方法及装置 | CN85108189 | 菲利浦光灯制造公司 | 荷兰艾恩德霍芬格陵纽沃德路1号 |
| 有自测试能力的超大规模集成电路 | CN85108326 | 得克萨斯仪器公司 | 美国得克萨斯州75265达拉斯市北中埃克斯普勒斯韦路13500号 |
