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分 类 >> G:物理 >> 静态存贮器
名称 专利号 申请者 地址
有多余备份功能的电保险丝储存格及其多余备份的方法 CN200610058667台湾积体电路制造股份有限公司台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 
移位寄存器及具备该移位寄存器的显示驱动装置 CN200510131500卡西欧计算机株式会社日本东京都 
存储器寻址错误检测系统和方法 CN200610000377阿尔卡特公司法国巴黎 
实现探针与相变存储器器件单元纳米电极可靠接触的方法 CN200610023827中国科学院上海微系统与信息技术研究所200050上海市长宁区长宁路865号 
低功率电荷泵 CN200480022338先进微装置公司美国加利福尼亚州 
用于连接一个或多个存储器芯片的集线器模块 CN200480022511因芬尼昂技术股份公司德国慕尼黑 
多层相变存储器 CN200480022411英特尔公司美国加利福尼亚州 
具有高速缓存数据接口的高密度闪存 CN200480022666因芬奈昂技术股份有限公司德国慕尼黑 
具有减少的面积和功耗的移位寄存器 CN200480022230爱特梅尔股份有限公司美国加利福尼亚州 
在感测存储单元时测量电流的方法和装置 CN200480022347微米技术有限公司美国爱达荷州 
移位寄存系统、移位寄存方法和显示装置驱动电路 CN200410077649鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;群创光电股份有限公司518109广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 
一种菱形的磁性随机存储器存储单元 CN200410081513电子科技大学610054四川省成都市建设北路二段四号 
一种磁性随机存储器参考信号的产生方法 CN200410081514电子科技大学610054四川省成都市建设北路二段四号 
适用于低电压非易失性存储器的读取及擦除验证方法及电路 CN200480013450桑迪士克股份有限公司美国加利福尼亚州 
测试RAM地址解码器的电阻性开路缺陷 CN200480013812皇家飞利浦电子股份有限公司荷兰艾恩德霍芬 
用于电阻开路缺陷的RAM地址译码器的测试 CN200480013820皇家飞利浦电子股份有限公司荷兰艾恩德霍芬 
半导体存储器设备 CN200510072065富士通株式会社日本神奈川县 
数字工作周期改正器 CN200510080981因芬尼昂技术股份公司德国慕尼黑 
具有动态不对称单元的SRAM CN200510114975国际商业机器公司美国纽约 
快闪存储器数据存储装置 CN200510118434三星电子株式会社韩国京畿道 
堆积式体结构的半导体存储器件和驱动该器件字线的方法 CN200510119954三星电子株式会社韩国京畿道 
存储器和半导体设备 CN200510120135索尼株式会社日本东京都 
半导体存储器装置 CN200510120242海力士半导体有限公司韩国京畿道 
半导体存储器件中使用的存储体选择信号控制电路和方法 CN200510124629三星电子株式会社韩国京畿道 
一种卡带式MP3及与其配套的收放机 CN200520019924钱致疆518133广东省深圳市宝安34区兰花苑6栋601号 
无线式车载MP3-U音乐播放器 CN200520057710佛山市三水好帮手电子科技有限公司528100广东省佛山市三水区口岸大道15号 
记忆体电路元件应用装置 CN200510063491智元科技股份有限公司中国台湾 
用于内嵌式存储模块的印刷线路布置 CN200610004209三星电子株式会社韩国京畿道 
存储装置以及判断存储单元的写入电流的方法 CN200610057342台湾积体电路制造股份有限公司台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 
具有音频功能的数据存储设备 CN200610066629创新科技有限公司新加坡新加坡市 
铁电动态随机存储器单管单元阵列的编程方法 CN200610011766北京大学深圳研究生院518055广东省深圳市南山区西丽深圳大学城北京大学校区 
存储多值数据的非易失性半导体存储器 CN200610073510株式会社东芝日本东京都 
存储多值数据的非易失性半导体存储器 CN200610073511株式会社东芝日本东京都 
具有降低存取时间的闪存装置 CN200510137521海力士半导体有限公司韩国京畿道 
防止热电子程序扰动现象的非易失性存储器装置及方法 CN200610009487海力士半导体有限公司韩国京畿道 
半导体存储器件 CN200610074096松下电器产业株式会社日本大阪府 
非易失性半导体存储装置的基准电流生成电路 CN200610073509株式会社东芝日本东京都 
高稳定性位移电路 CN200510063155胜华科技股份有限公司台湾省台中县 
检测浮动字线的测试模式 CN200610071098英飞凌科技股份公司德国慕尼黑 
有效字线循环时间短的半导体存储器及该半导体存储器的数据读出方法 CN200480026271因芬尼昂技术股份公司德国慕尼黑 
用于提供用于磁性存储器的可编程电流源的方法和系统 CN200480026313磁旋科技公司美国加利福尼亚州 
具有小占地面积和有效布局宽高比的三元内容可寻址存储器(TCAM)单元 CN200480018652综合器件技术公司美国加利福尼亚 
用于闪存的升压衬底/槽编程 CN200480026225微米技术股份有限公司美国爱达荷州 
管理闪存内的故障块 CN200480026021海珀斯通股份公司德国康斯坦茨 
一种防止FIB攻击熔断熔丝的电路 CN200520045350上海华虹集成电路有限责任公司201203上海市张江高科技园区碧波路572弄39号 
具有卡拉OK功能的数码播放器 CN200610031550陈 波;裴润源410007湖南省长沙市芙蓉南路华盛家园4-208 
半导体存储器及分析半导体存储器故障的方法 CN200610067888尔必达存储器股份有限公司日本东京 
具有基于电流发生器的斜坡形偏压结构的存储器件 CN200610059263意法半导体股份有限公司意大利布里安扎 
半导体器件和操作半导体器件的方法 CN200610073912英飞凌科技股份公司德国慕尼黑 
预防非易失性存储装置检查板程序程序失效的呼叫缓冲器 CN200610004420海力士半导体有限公司韩国京畿道 
用于验证预先擦除的具有页缓冲器的非易失性存储器装置 CN200610051413海力士半导体有限公司韩国京畿道 
低噪声相关双取样电路 CN200510055260北京思比科微电子技术有限公司100085北京市海淀区上地信息路2号创业园D栋412 
恢复硬件的设备和方法 CN200610059500国际商业机器公司美国纽约 
相变存储器的读取偏置方案 CN200480022432英特尔公司美国加利福尼亚州 
改进的电荷俘获非易失性存储器的擦除和读取方案 CN200480022910皇家飞利浦电子股份有限公司荷兰艾恩德霍芬 
包含不对称传输阻抗的芯片间接口 CN200610073980英飞凌科技股份公司德国慕尼黑 
用于改变字线有效工作周期的方法和装置 CN200610074759英飞凌科技股份公司德国慕尼黑 
RAM模块的数据接口驱动器的调整信息的传输方法和装置 CN200610068246英飞凌科技股份公司德国慕尼黑 
存储器子系统及其锁存时钟产生方法 CN200610065308联发科技股份有限公司台湾省新竹科学工业园区 
串行传输接口的存储器装置以及错误更正方法 CN200510058917凌阳科技股份有限公司台湾省新竹县 
相变存储单元阵列写电流的字线电压补偿方法 CN200510027622复旦大学;硅存储技术公司200433上海市邯郸路220号 
用以感测一存储单元的输出的方法及电路 CN200510087719台湾积体电路制造股份有限公司台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 
在半导体存储器件中产生提升电压的电路和方法 CN200610051303三星电子株式会社韩国京畿道 
一种分级温度补偿刷新方法及其电路 CN200610076279北京芯技佳易微电子科技有限公司100084北京市海淀区清华科技园学研大厦B座301 
用于生成数据比特求反标志的电路 CN200610068248英飞凌科技股份公司德国慕尼黑 
存储器电路中用于定义等待时间的装置 CN200610068247英飞凌科技股份公司德国慕尼黑 
半导体存储器件、具有该器件的系统及操作该器件的方法 CN200510137581因芬尼昂技术股份公司德国慕尼黑 
使用多个串存储状态信息的非易失性存储器装置和方法 CN200610057026三星电子株式会社韩国京畿道 
非易失性半导体存储装置 CN200610067698株式会社瑞萨科技日本东京都 
有增强的位线和/或字线驱动能力的非易失性存储器设备 CN200610071461三星电子株式会社韩国京畿道 
具有减小的尺寸的快闪存储器及其存取方法 CN200510091625海力士半导体有限公司韩国京畿道 
可预防固定模式编程的方法 CN200610005997赛芬半导体有限公司以色列内坦亚市 
具有页复制功能的半导体存储装置 CN200610075132株式会社东芝日本东京都 
非易失性存储装置的高电压开关电路 CN200610005019海力士半导体有限公司韩国京畿道 
用于熔丝存储单元的微分读出电路 CN200610071193英飞凌科技股份公司德国慕尼黑 
半导体存储器件和半导体存储器件测试方法 CN200610068082尔必达存储器股份有限公司日本东京 
擦除存储器阵列上存储单元的方法 CN200610005996赛芬半导体有限公司以色列内坦亚市 
动态地隐藏存储器缺陷的方法及装置 CN200610074997旺宏电子股份有限公司中国台湾新竹科学工业园区 
一种包括铁电聚合物存储器材料、具有非对称单元尺寸的聚合物存储器 CN200480023966英特尔公司美国加利福尼亚州 
DRAM部分刷新的方法和装置 CN200480024197英特尔公司美国加利福尼亚州 
DRAM叠层封装、DIMM以及半导体制造方法 CN200610056976株式会社日立制作所;尔必达存储器股份有限公司日本东京都 
半导体存储器及半导体存储器的存取方法 CN200610077864罗姆股份有限公司日本京都府 
无时钟条件下动态随机存取存储器内核稳定刷新的方法 CN200610078772北京芯技佳易微电子科技有限公司100084北京市海淀区清华科技园学研大厦B座301 
一种应用于快闪存储器的灵敏放大器电路 CN200610011812清华大学100084北京市100084-82信箱 
半导体存储器件 CN200610074183松下电器产业株式会社日本大阪府 
半导体存储器件 CN200610074181松下电器产业株式会社日本大阪府 
循环器链存储器命令和地址总线拓扑 CN200480025639英特尔公司美国加利福尼亚州 
用于存储开关的受控衬底电压 CN200480024932因芬尼昂技术股份公司德国慕尼黑 
用于磁电阻存储器的写入驱动器 CN200480025448飞思卡尔半导体公司美国得克萨斯 
用于包括磁敏材料的电路的有源屏蔽 CN200480025073皇家飞利浦电子股份有限公司荷兰艾恩德霍芬 
半导体存储装置和读取半导体存储装置的方法 CN200480025383索尼株式会社日本东京都 
集成电路和高速缓冲存储器的重新映射方法 CN200480025280皇家飞利浦电子股份有限公司荷兰艾恩德霍芬 
具有多个层叠的存储芯片的半导体存储器件 CN200610071011尔必达存储器株式会社;株式会社日立制作所日本东京 
半导体存储装置 CN200610073854尔必达存储器株式会社日本东京 
具有高速操作的存储器芯片架构 CN200610002105海力士半导体有限公司韩国京畿道 
用于集成电路元件的高速低功率输入缓冲器 CN200510084398茂德科技股份有限公司(新加坡子公司)新加坡 
对相变存储器进行编程的方法和装置 CN02826334英特尔公司美国加利福尼亚州 
包含用于临时存储的非易失存储器的一次写入式存储设备 CN02157030惠普公司美国加利福尼亚州 
用于控制半导体存储设备的AC定时参数的电路及其方法 CN02154262三星电子株式会社韩国京畿道