| 名称 |
专利号 |
申请者 |
地址 |
| 具有带磁致电阻存储效应的存储器单元的集成存储器 | CN01108947 | 因芬尼昂技术股份公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 半导体存储装置的数据读出及数据写入方法和驱动方法 | CN01109426 | 松下电子工业株式会社 | 日本大阪府 |
| 读出放大器 | CN01109519 | 日本电气株式会社 | 日本东京 |
| 非易失性存储器中具有分离的偏压线的字线驱动器和方法 | CN01110997 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 多位磁存储元件 | CN01111226 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 改进的存储器单元编程方法 | CN01111740 | 密克罗奇普技术公司 | 美国亚利桑那州 |
| 具有比特导线参考电压的集成存储器和产生该电压的方法 | CN01111908 | 因芬尼昂技术股份公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 读出和储存存储单元中铁电晶体管状态的方法和存储矩阵 | CN01116227 | 因芬尼昂技术股份公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 用于运行集成存储器的方法 | CN01116276 | 因芬尼昂技术股份公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 具有板导线段的集成存储器 | CN01116290 | 因芬尼昂技术股份公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 电阻性交点存储器单元阵列的等电位读出法 | CN01117937 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 磁性随机存取存储器 | CN01120714 | 因芬尼昂技术股份公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 自动烧录器的输送结构 | CN01200823 | 河洛电脑股份有限公司 | 中国台湾 |
| 一种闪存芯片的读写方法 | CN01100002 | 吴秀林;岳京星 | 100029北京市朝阳区北四环中路33号 |
| 半导体集成电路、半导体集成电路的存储器修复方法 | CN01101353 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 用于编程非易失性存储器的位线设置和放电电路 | CN01108884 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 存储器刷新系统 | CN01109173 | 矽统科技股份有限公司 | 中国台湾 |
| 闪速存储卡 | CN01109196 | 株式会社和人ELCOMS;金文根 | 韩国京畿道 |
| 具分时充电架构的承受机处理内存 | CN01109218 | 矽统科技股份有限公司 | 台湾新竹科学工业园区新竹县研新一路16号 |
| 多队列架构中控制其相依顺序的方法与装置 | CN01109221 | 矽统科技股份有限公司 | 中国台湾新竹科学工业园区新竹县研新一路16号 |
| 闪存多阶编码方法 | CN01109531 | 华邦电子股份有限公司 | 台湾新竹科学工业园区研新三路四号 |
| 高速多路先进先出存储器结构 | CN01109554 | 矽统科技股份有限公司 | 中国台湾 |
| 选择性多重移位的移位寄存器 | CN01109565 | 矽统科技股份有限公司 | 中国台湾 |
| 双倍数据传输速度的DDR SDRAM与SDRAM的共用模块 | CN01109837 | 技嘉科技股份有限公司 | 台湾台北县 |
| 一种改进的静态随机存取内存及其方法 | CN01109937 | 华邦电子股份有限公司 | 中国台湾 |
| 与非门型多阶存储器控制系统 | CN01110073 | 华邦电子股份有限公司 | 台湾新竹 |
| 介层码掩膜只读存储器电路 | CN01110107 | 华邦电子股份有限公司 | 中国台湾 |
| 使用源极偏压执行非挥发性内存单元写入动作的方法 | CN01110482 | 华邦电子股份有限公司 | 中国台湾 |
| 可编程存储装置及编程方法 | CN01110544 | 科统科技股份有限公司 | 台湾省台北市吉林路24号6楼之2 |
| 多通道存储管理系统 | CN01111218 | 矽统科技股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区新竹县新一路16号 |
| 降低单边静态随机存取存储器功率消耗的装置与方法 | CN01111464 | 矽统科技股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区 |
| 一种多功能半导体存储装置 | CN01114883 | 深圳市朗科科技有限公司 | 518031广东省深圳市深南中路2070号电子科技大厦C座24A |
| 非挥发性铁电内存感测方法 | CN01116033 | 旺宏电子股份有限公司 | 中国台湾 |
| 共享控制和地址总线的双通道存储器系统及存储器模块 | CN01117417 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 闪速存储器中驱动再映射的方法及其闪速存储器体系结构 | CN01117722 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 用于提高总线效率的半导体存储器设备及存储器系统 | CN01117792 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 铁电存储装置的操作方法 | CN01117877 | 因芬尼昂技术股份公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 磁随机存取存储器大阵列的写入电路 | CN01117942 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 动态随机存取内存的缺陷修护及状态显示的方法 | CN01118329 | 盖内蒂克瓦尔有限公司 | 英属维尔京群岛 |
| 半导体存储装置 | CN01118761 | 松下电器产业株式会社 | 日本大阪府 |
| 用于读出具有铁电电容器的存储单元的电路装置 | CN01119642 | 因芬尼昂技术股份公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 先进先出缓冲器的门槛的调整方法 | CN01119897 | 矽统科技股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区 |
| 存储媒体与游戏装置 | CN01121258 | 株式会社托密 | 日本东京都 |
| 非同步FIFO控制器 | CN01121408 | 扬智科技股份有限公司 | 台湾省台北县 |
| 集成半导体电路内连接线上补偿不同电压的电路装置 | CN01121714 | 因芬尼昂技术股份公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 自刷新片载电压发生器 | CN01121812 | 国际商业机器公司 | 美国纽约 |
| 有磁力地稳定的磁阻存储元件 | CN01121927 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 存储单元具有磁阻存储效应的集成存储器 | CN01121928 | 因芬尼昂技术股份公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 磁随机存取存储器件的参考信号的产生 | CN01121930 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 容易控制数据写入电流的薄膜磁性体存储器 | CN01122086 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 磁阻存储器用电流驱动装置 | CN01122142 | 因芬尼昂技术股份公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 补偿寄生电流损耗的方法和装置 | CN01122143 | 因芬尼昂技术股份公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 存储单元具有磁阻存储效应的集成存储器及其工作方法 | CN01122144 | 因芬尼昂技术股份公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 存储单元具有磁阻存储效应的集成存储器 | CN01122146 | 因芬尼昂技术股份公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 在磁式随机存取存储器内阻止电迁移的方法 | CN01122147 | 因芬尼昂技术股份公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 磁阻随机存取存储装置 | CN01122148 | 因芬尼昂技术股份公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 存储单元具有磁阻存储效应的集成存储器 | CN01122479 | 因芬尼昂技术股份公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 存储器 | CN01122482 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 磁随机存取存储器中改进性能的最佳写入导体布局 | CN01123065 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 无损读出磁阻随机存取存储器的存储单元的方法和装置 | CN01123079 | 因芬尼昂技术股份公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 具备高集成化的存储器阵列的薄膜磁性体存储器 | CN01123108 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 具有减小的信号过耦合的任意选择存取的半导体存储器 | CN01123111 | 因芬尼昂技术股份公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 存储器控制技术 | CN01123395 | 日本电气株式会社 | 日本东京都 |
| 具有对称型双信道的快擦写存储器的操作方法 | CN01123718 | 旺宏电子股份有限公司 | 中国台湾 |
| 具有USB接口的便携式可读写存储器及其数据管理的方法 | CN01123780 | 台均实业有限公司 | 台湾省中坜市 |
| 非挥发性存储器电路 | CN01123811 | 旺宏电子股份有限公司 | 中国台湾 |
| 多合一矽碟机 | CN01124217 | 万国电脑股份有限公司 | 台湾省台北县 |
| 半导体存储器件及其控制方法 | CN01124583 | 富士通株式会社 | 日本神奈川 |
| 用于对磁阻随机存取存储器进行无损耗写入的装置 | CN01124763 | 因芬尼昂技术股份公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| MRAM装置 | CN01124881 | 因芬尼昂技术股份公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 具有可自动切断的预先充电路径的高速感应放大器 | CN01125079 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区新竹市力行路16号 |
| 半导体存储器件及采用其的存储模块和系统 | CN01125164 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 一次写入薄膜存储器 | CN01125424 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 可容忍短路的电阻交叉点阵列 | CN01125427 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 存储矩阵和存储设备的字线的电子驱动电路 | CN01125502 | 因芬尼昂技术股份公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 具有数据掩蔽引脚的半导体存储装置及包括该装置的存储系统 | CN01125533 | 三星电子株式会社 | 韩国京畿道 |
| 备有具有磁隧道接合部的存储单元的薄膜磁性体存储装置 | CN01125558 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 半导体存储器及其存取方法 | CN01125726 | 富士通株式会社 | 日本神奈川 |
| 能有效克服噪声的MRAM | CN01125743 | 株式会社东金 | 日本宫城县 |
| 高速且稳定地进行数据读出工作的薄膜磁性体存储器 | CN01125883 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 修正有缺陷的隧道结的方法 | CN01125891 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| MRAM存储单元 | CN01125963 | 因芬尼昂技术股份公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 一种闪存的抹除方法 | CN01129534 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾新竹科学工业园区力行路16号 |
| 具交织读出和编程能力的改进集成电路存储器及工作方法 | CN01130302 | 积忆科技股份有限公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 采用了冗余方式的半导体存储器 | CN01130303 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 半导体存储器件 | CN01130510 | 富士通株式会社 | 日本神奈川 |
| 非挥发性内存的可靠性测试方法与电路 | CN01130670 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 |
| 非挥发性内存的加速测试方法与电路 | CN01130671 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 |
| 非挥发性内存的可靠性验证方法与电路 | CN01130672 | 旺宏电子股份有限公司 | 台湾省新竹科学工业园区力行路16号 |
| 半导体集成电路器件 | CN01131034 | 松下电器产业株式会社 | 日本国大阪府 |
| 用于读取电阻交点阵列的存储器单元的方法和装置 | CN01132510 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 在磁阻存储器中加速老化的电路装置和方法 | CN01132512 | 因芬尼昂技术股份公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 磁致电阻存储器及其读出方法 | CN01132559 | 因芬尼昂技术股份公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 可缩短测试时间的半导体存储装置 | CN01132592 | 三菱电机株式会社 | 日本东京都 |
| 磁随机存取存储装置的热辅助切换 | CN01132913 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 基于不连续性的存储器单元读出 | CN01132966 | 惠普公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 磁致电阻存储器模块装置 | CN01132983 | 因芬尼昂技术股份公司 | 联邦德国慕尼黑 |
| 具有多端口超高速缓存陈列的集成电路存储器设备及其操作方法 | CN01133891 | 集成装置技术公司 | 美国加利福尼亚州 |
| 时钟同步电路 | CN01133921 | 株式会社东芝 | 日本东京都 |
