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A:人类生活需要 B:作业,运输 C:化学,冶金 D:纺织和造纸 E:固定构造 F:机械工程 G:物理 H:电学
分 类 >> G:物理 >> 图纹面的照相制版工艺，例如：印刷工艺，半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
名称 专利号 申请者 地址
熔体 CN200510088521罗门哈斯电子材料有限公司美国马萨诸塞州　
一种制作气体放电显示屏光固化障壁浆料 CN200510096143彩虹集团电子股份有限公司712021陕西省咸阳市彩虹路1号　
用于苯胺印刷的可固化可喷射液体 CN200510103880爱克发-格法特公司比利时莫策尔　
化学放大型正型光致抗蚀剂组合物 CN200510098173东京应化工业株式会社日本神奈川县　
制造苯胺印刷底版的方法 CN200510103879爱克发-格法特公司比利时莫策尔　
涂敷装置 CN200510104055东京応化工业株式会社日本川崎市　
用于双极点曝光设备的垂直图案的布图 CN200510051953海力士半导体有限公司韩国京畿道　
用于抑制使用光刻系统印刷的特征波形化的装置、方法及程序产品 CN200510068537ASML蒙片工具有限公司荷兰维尔德霍芬　
振动检测和振动分析方法与设备及具有该设备的光刻设备 CN200510104061ASML荷兰有限公司荷兰维尔德霍芬　
卤代肟衍生物和其作为潜在的酸的用途 CN200480004559西巴特殊化学品控股有限公司瑞士巴塞尔　
含噁唑衍生物的射线敏感组合物和基于它的可成象元件 CN200480004823柯达彩色绘图有限责任公司德国奥斯特罗德　
含有丙烯酸类聚合物的光刻用形成填隙材料的组合物 CN200480004773日产化学工业株式会社日本东京都　
液浸曝光工序用抗蚀保护膜形成用材料、复合膜及抗蚀图案形成方法 CN200480004780东京応化工业株式会社日本神奈川县川崎市　
图案产生方法 CN200480004777麦克罗尼克激光系统公司瑞典泰比　
制造用于凸版印刷的可水显影的印版的方法 CN200480004640旭化成化学株式会社日本东京都　
水溶性树脂组合物、图形形成方法和检查抗蚀图形的方法 CN200480004824AZ电子材料(日本)株式会社日本国东京都　
用于半导体器件制造的掩模图形及其相关方法和结构 CN200510106920三星电子株式会社韩国京畿道　
形成层间绝缘膜用的射线敏感性树脂组合物和层间绝缘膜 CN200510105516JSR株式会社日本国东京都　
用于半导体器件制造的、包括凝胶层的掩模图形及其形成方法 CN200510106911三星电子株式会社韩国京畿道　
采用一个声光偏转器的成像干涉光刻方法和系统 CN200510086827中国科学院光电技术研究所610209四川省成都市双流350信箱　
采用环形光栅和选通快门的成像干涉光刻方法和系统 CN200510086828中国科学院光电技术研究所610209四川省成都市双流350信箱　
采用梯形棱镜的五次曝光成像干涉光刻方法和系统 CN200510086829中国科学院光电技术研究所610209四川省成都市双流350信箱　
一种采用五次曝光的成像干涉光刻方法 CN200510086830中国科学院光电技术研究所610209四川省成都市双流350信箱　
光刻装置和器件制造方法 CN200510104095ASML荷兰有限公司荷兰维尔德霍芬　
用于剥离光刻胶的组合物及薄膜晶体管阵列面板制造方法 CN200510105132三星电子株式会社韩国京畿道　
光致抗蚀剂组合物和抗蚀图案的形成方法 CN200480004937东京应化工业株式会社日本神奈川县　
湿润性图案形成用涂敷液和图案形成体的制造方法 CN200480005063大日本印刷株式会社日本国东京都　
光敏组合物及其用途 CN200480005372AZ电子材料美国公司美国新泽西　
用于制备抗蚀剂基底的方法 CN200480005071德国捷德有限公司德国慕尼黑　
液晶面板用曝光装置及曝光装置 CN200480004891大见忠弘日本国宫城县　
空间光调制器直接写入器 CN200480005102麦克罗尼克激光系统公司瑞典泰比　
用于改善电路性能的多次曝光方法 CN200480005294香港大学中国香港薄扶林道　
光刻掩模基板,光刻掩模,曝光掩模,光刻掩模基板制造方法,以及半导体装置制造方法 CN200510107561HOYA株式会社日本东京都　
灰调掩模 CN200510112885HOYA株式会社日本东京　
用于制版掩膜的喷墨记录用片材及制造苯胺印刷版的方法 CN200510108494旭硝子株式会社日本东京　
形成光敏性聚酰亚胺图案的方法和具有该图案的电子器件 CN200510116592TDK株式会社日本东京都　
化学放大型光刻胶组合物 CN200510106482住友化学株式会社日本国东京都　
感光性热固性树脂组合物和涂覆有抗蚀剂的印刷配线板及其制造方法 CN200510107592山荣化学有限公司日本东京　
去除设备、保护膜成形设备、基板处理系统和去除方法 CN200510106478大日本网目版制造株式会社日本京都府　
基板处理系统 CN200510107965东京毅力科创株式会社日本国东京都　
曝光掩模的对位方法，以及薄膜元件基板的制造方法 CN200510099512精工爱普生株式会社日本东京　
曝光掩模的对位方法以及薄膜元件基板的制造方法 CN200510103929精工爱普生株式会社日本东京　
感光树脂组合物和其固化物 CN200480006007日本化药株式会社日本东京　
液浸曝光工艺用抗蚀剂材料以及使用该抗蚀剂材料的抗蚀剂图案形成方法 CN200480005913东京応化工业株式会社日本川崎市　
感光性树脂组合物及其涂膜固化物 CN200480005924旭硝子株式会社日本东京　
利用衰减的相移掩模图案化晶片上的光刻胶的方法 CN200480005996飞思卡尔半导体公司美国得克萨斯　
多曝光半导体制造掩模组及制造这种多曝光掩模组的方法 CN200510113435三星电子株式会社韩国京畿道　
进行抗蚀剂工艺校准/优化和DOE优化的方法 CN200510113215ASML蒙片工具有限公司荷兰维尔德霍芬　
光刻设备和位置测量方法 CN200510113781ASML荷兰有限公司荷兰维尔德霍芬　
与外涂光刻胶一起使用的涂料组合物 CN200510089651罗姆及海斯电子材料有限公司美国马萨诸塞州　
减压干燥装置及减压干燥方法 CN200510107678大日本网目版制造株式会社日本京都府　
光刻设备与装置制造方法 CN200510108404ASML荷兰有限公司荷兰维尔德霍芬　
光阻剂剥离液组合物 CN200510102849东进世美肯株式会社韩国仁川市　
化学放大型正型光刻胶组合物 CN200480006521东京应化工业株式会社日本神奈川县　
基于掩模层的光学性能在衬底上对准图形的方法及相关器件 CN200510108599三星电子株式会社韩国京畿道　
用于曝光衬底的装置、该装置的光掩模和改进照明系统、以及利用该装置在衬底上形成图形的方法 CN200510108595三星电子株式会社韩国京畿道　
感放射线性树脂组合物 CN200510113729住友化学株式会社日本东京都　
感放射线性树脂组合物 CN200510113741住友化学株式会社日本东京都　
感放射线性树脂组合物 CN200510113742住友化学株式会社日本东京都　
光栅尺双向对接曝光法 CN200410009663中国科学院光电技术研究所610209四川省成都市双流350信箱　
极紫外光刻精密磁悬浮工件台 CN200410009664中国科学院电工研究所100080北京市海淀区中关村北二条6号　
用以决定对叠补偿参数的系统及方法 CN200410088161茂德科技股份有限公司台湾省新竹科学工业园　
平版印刷设备和装置制造方法 CN200510108562ASML荷兰有限公司荷兰维尔德霍芬　
光刻设备和器件制造方法 CN200510113796ASML荷兰有限公司荷兰维尔德霍芬　
光刻设备和器件制造方法 CN200510116301ASML荷兰有限公司荷兰维尔德霍芬　
显影液成分调整方法及其显影系统 CN200510126744友达光电股份有限公司台湾新竹市　
光刻掩膜板的制造方法 CN200480007041HOYA株式会社日本东京都　
中间掩模用基板及其制造方法,以及光刻掩模板及其制造方法 CN200480007046HOYA株式会社日本东京都　
用于将厚膜成像的光致抗蚀剂组合物 CN200480007647AZ电子材料美国公司美国新泽西　
光掩模坯料、光掩模及其制造方法 CN200510112619信越化学工业株式会社;凸版印刷株式会社日本东京都　
图形形成方法及曝光装置 CN200510118182松下电器产业株式会社日本大阪府　
支撑架 CN200410086159力晶半导体股份有限公司台湾省新竹市　
光刻设备及器件制造方法 CN200510113400ASML荷兰有限公司荷兰维尔德霍芬　
光刻装置和器件制造方法 CN200510114136ASML荷兰有限公司荷兰维尔德霍芬　
透明、高耐热聚酰亚胺前体及其光敏聚酰亚胺组合物 CN200480008080LG化学株式会社韩国首尔　
控制光刻胶组合物溶解速率差的方法 CN200480007786普罗米鲁斯有限责任公司;国际商业机器公司美国俄亥俄　
沉积物去除、光学元件保护方法、器件制造法和光刻设备 CN200510119945ASML荷兰有限公司荷兰维尔德霍芬　
用于光刻胶的感光树脂组合物 CN200510090790东进瑟弥侃株式会社韩国仁川市　
感光性树脂组合物、显示面板用间隔物及显示面板 CN200510118449JSR株式会社日本东京都　
用于在制造半导体器件等中分配光刻胶的方法和设备 CN200510113645三星电子株式会社韩国京畿道　
接合晶片的方法 CN200410089601探微科技股份有限公司台湾省桃园县　
曝光方法及装置 CN200510081797富士胶片株式会社日本神奈川县　
光刻设备及器件制造方法 CN200510104178ASML荷兰有限公司荷兰维尔德霍芬　
描绘方法及装置 CN200510108800富士胶片株式会社日本神奈川县　
光刻设备及器件制造方法 CN200510118070ASML荷兰有限公司荷兰维尔德霍芬　
光学位置确定设备及方法 CN200510118515ASML荷兰有限公司荷兰维尔德霍芬　
光致抗蚀剂组合物 CN200480008622AZ电子材料美国公司美国新泽西　
光致抗蚀剂组合物 CN200480008624AZ电子材料美国公司美国新泽西　
光敏树脂膜及其固化膜 CN200480008907捷时雅株式会社日本东京　
液浸曝光处理用抗蚀剂组合物及使用该抗蚀剂组合物的抗蚀剂图形形成方法 CN200480008654东京応化工业株式会社日本神奈川县川崎市　
含有环氧化合物和羧酸化合物的光刻用形成下层膜的组合物 CN200480009217日产化学工业株式会社日本东京　
无铬膜层相位移光罩 CN200420117467台湾积体电路制造股份有限公司台湾省新竹科学工业园区　
修正光刻掩膜中缺陷的方法和装置 CN200510117519国际商业机器公司美国纽约　
图形形成方法 CN200510117520株式会社东芝日本东京都　
光刻设备 CN200510118032ASML荷兰有限公司荷兰维尔德霍芬　
可辐射固化组合物 CN200510113737拜尔材料科学有限责任公司美国宾夕法尼亚州　
着色感光性树脂组合物 CN200510120000住友化学株式会社日本东京都　
遮光膜形成用感光性组合物、由该遮光膜形成用感光性组合物形成的黑底 CN200510120093东京应化工业株式会社日本神奈川县　
同一半导体芯片不同周期全息光栅的制作方法 CN200410088728中国科学院半导体研究所100083北京市海淀区清华东路甲35号　
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