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A:人类生活需要 B:作业,运输 C:化学,冶金 D:纺织和造纸 E:固定构造 F:机械工程 G:物理 H:电学
分 类 >> G:物理 >> 图纹面的照相制版工艺，例如：印刷工艺，半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
名称 专利号 申请者 地址
制造半导体器件的方法 CN200610105445恩益禧电子股份有限公司日本神奈川县　
用于执行考虑了近邻影响的基于模型的光学邻近校正的设备、方法和计算机程序产品 CN200610121398ASML蒙片工具有限公司荷兰维尔德霍芬　
半色调型相移掩膜坯料、半色调型相移掩膜及其制造方法 CN200610094621HOYA株式会社日本东京都　
基底、光刻多次曝光方法和可机读介质 CN200610106343ASML荷兰有限公司荷兰费尔德霍芬　
适合于高车速涂布且无表观弊病的阳图PS版感光涂布液 CN200510017795乐凯集团第二胶片厂473003河南省南阳市车站南路219号　
碱性显影性树脂组合物 CN200610079827株式会社艾迪科日本东京都　
光固化性组合物、滤色器及其制备方法 CN200610105815富士胶片电子材料有限公司日本国东京都　
光敏组合物 CN200610105834富士胶片株式会社日本神奈川县　
曝光工艺 CN200510083937中华映管股份有限公司台湾省台北市中山北路三段二十二号　
一种光刻机 CN200610027271上海微电子装备有限公司201203上海市张江高科技园区张东路1525号　
光刻装置中的偏振辐射及器件制造方法 CN200610101495ASML荷兰有限公司荷兰费尔德霍芬　
曝光方法 CN200610106374佳能株式会社日本东京　
带钼移相器的远紫外掩模 CN200480039053英特尔公司美国加利福尼亚州　
负性感光性组合物及负性感光性平版印刷版 CN200480039081柯达彩色绘图日本株式会社日本东京都　
辐射敏感性树脂组合物、层间绝缘膜和微透镜以及它们的制备方法 CN200580001422JSR株式会社日本东京都　
光刻装置和器件制造方法 CN200480038343ASML荷兰有限公司荷兰费尔德霍芬　
在曝光场中具有光学控制模块的晶片 CN200480038420皇家飞利浦电子股份有限公司荷兰艾恩德霍芬　
用于浸入式光刻的可除去薄膜 CN200480038477皇家飞利浦电子股份有限公司荷兰艾恩德霍芬　
用于图形化不同宽度的线的复合光学光刻方法 CN200480038478英特尔公司美国加利福尼亚州　
用于光学元件的更换设备 CN200480038897卡尔蔡司SMT股份公司德国上科亨　
吸盘系统、使用该吸盘系统的光刻装置和器件制造方法 CN200480038919ASML荷兰有限公司荷兰费尔德霍芬　
光刻投射装置及用于所述装置中的粒子屏障 CN03147043ASML荷兰有限公司荷兰维尔德霍芬　
夹盘、光刻装置和器件制造方法 CN03155139ASML荷兰有限公司荷兰维尔德霍芬　
可降低光学接近效应的光罩 CN03153711旺宏电子股份有限公司台湾省新竹市　
导光板模仁制造方法 CN03140221鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司518109广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号　
感光性树脂组成物以及其制出的彩色滤光片用透明材料 CN03153537住友化学工业株式会社日本大阪市　
正型光致抗蚀剂组合物及抗蚀图案的形成方法 CN03154301东京应化工业株式会社日本神奈川县　
导光板模仁的制造方法 CN03140197鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司518109广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号　
频域相位对准系统 CN03132303叶晋德210093江苏省南京市南京大学天文系　
光刻投射装置及用于所述装置中的反射器组件 CN03132763ASML荷兰有限公司荷兰维尔德霍芬　
基于电子束的图形扫描方法和图形扫描装置 CN03127750柯尼卡株式会社日本东京都　
提高化学增强光致抗蚀剂分辨率的方法 CN03127442国际商业机器公司美国纽约州　
微细图形形成材料、微细图形形成法及半导体装置的制法 CN03127424株式会社瑞萨科技日本东京都　
曝光装置判定系统、判定方法、判定程序和半导体器件制造方法 CN03153202株式会社东芝日本东京都　
用于设计掩模和制造面板的方法 CN03149748LG.菲利浦LCD株式会社韩国汉城　
用于特殊微型光刻的基片 CN03155514肖特玻璃制造厂联邦德国美因茨　
控制光阻分配的方法及其装置 CN03152480旺宏电子股份有限公司台湾省新竹市　
用于生产自对准掩模的非平版印刷方法，所生产的制品和用于该制品的组合物 CN03152547国际商业机器公司美国纽约　
使激光束扩展而不扩展空间相干性的系统和方法 CN03152381ASML控股股份有限公司荷兰费尔德霍芬　
具有与真空室连通的真空掩模版库的光刻设备 CN03152343ASML控股股份有限公司荷兰费尔德霍芬　
光刻胶图案增厚材料、包含它的光刻胶图案及其应用 CN03149913富士通株式会社日本神奈川县　
自动光学近似校正规则的产生 CN03158096ASML蒙片工具有限公司荷兰维尔德霍芬　
可聚合组合物、阻剂及电子束平版印刷之方法 CN03133197因芬尼昂技术股份公司联邦德国慕尼黑　
微铸碳化硅纳米压印模 CN03133077惠普开发有限公司美国德克萨斯州　
图形形成方法和衬底处理装置 CN03150313株式会社东芝日本东京都　
光刻胶图案增厚材料、光刻胶图案及其形成工艺，半导体器件及其制造工艺 CN03150307富士通株式会社日本神奈川县　
可溶于光致抗蚀剂显影液的有机底部抗反射组合物及使用该组合物的光刻和蚀刻方法 CN03133069三星电子株式会社韩国京畿道水原市　
正型光阻剂组合物及形成光阻图样的方法 CN03132821财团法人工业技术研究院;长春人造树脂厂股份有限公司台湾省新竹县　
精细图案形成方法和抗蚀剂表层处理剂 CN03132814株式会社瑞萨科技日本东京都　
抗蚀剂剥离装置 CN03178649长濑产业株式会社;株式会社平间理化研究所日本大阪　
防蚀显影组合物 CN03147049三菱瓦斯化学株式会社日本东京　
接触孔洞光学邻近效应修正和掩模及半导体装置制造方法 CN03146456南亚科技股份有限公司台湾省桃园县　
IR烧蚀用层压体 CN03147654东洋纺织株式会社日本国大阪府　
等离子体反应室 CN03147485友达光电股份有限公司台湾省新竹市　
曝光设备的传送式基板台 CN03147476LG电子株式会社韩国汉城　
光刻装置及器件制造方法 CN03155519ASML荷兰有限公司荷兰维尔德霍芬　
高分辨率映像装置用光刻胶 CN03138830刘同生030021山西省太原市晋源区化工路113号　
检查方法和光掩模 CN03147290株式会社东芝日本东京都　
一种光刻胶涂敷装置 CN03147269友达光电股份有限公司台湾省新竹市　
用于除去抗蚀剂的洗净液及半导体器件的制造方法 CN03146494株式会社瑞萨科技;松下电器产业株式会社日本东京都　
用形成水溶性树脂和抗蚀剂材料的混合层制备微电子结构的方法 CN03146640三星电子株式会社韩国京畿道水原市　
复合波激光光源及曝光装置 CN03147430富士胶片株式会社日本神奈川县　
基底固定件以及器件制造方法 CN03155517ASML荷兰有限公司荷兰维尔德霍芬　
光刻装置及器件制造方法 CN03155518ASML荷兰有限公司荷兰维尔德霍芬　
化学放大刻蚀剂材料和使用它的图案化方法 CN03147412富士通株式会社日本神奈川　
防振装置、平台装置及曝光装置 CN03146582尼康株式会社日本东京都　
X射线掩模与石英环紫外固化装置及使用方法 CN03147402中国科学院微电子中心100029北京市德胜门外祁家豁子　
光刻设备和器件制造方法 CN03147173ASML荷兰有限公司荷兰维尔德霍芬　
X射线光刻对准标记图形 CN03148990中国科学院微电子中心100029北京市德胜门外祁家豁子　
正型光致抗蚀剂组合物与抗蚀剂图案的形成方法 CN03148995东京应化工业株式会社日本神奈川县　
热敏平版印刷版 CN03148540富士胶片株式会社日本神奈川县　
曝光量监测方法和半导体器件的制造方法 CN03148293株式会社东芝日本东京都　
投影光学系统、曝光装置以及组件制造方法 CN03148266尼康株式会社日本东京都　
光刻技术中的漩涡相移掩模 CN03148353大日本印刷株式会社;马克·戴维·利文森日本国东京都　
防止液体回溅的装置 CN03148461友达光电股份有限公司台湾省新竹市　
扫描曝光设备和方法，以及装置制造方法 CN03148254佳能株式会社日本东京都　
氢氧化四甲铵显影液的回收系统及其方法 CN03148411友达光电股份有限公司台湾省新竹市　
电子束曝光的邻近效应修正方法及其应用 CN03148322株式会社东芝日本东京都　
用于光刻工具的自动聚焦测量的系统和方法 CN03149340ASML控股股份有限公司荷兰费尔德霍芬　
电子束曝光方法及其装置 CN03800541PD服务株式会社日本东京都调布市　
用于连续横向固化的掩模和采用它的结晶方法 CN03137474LG.菲利浦LCD株式会社韩国汉城　
制备平板印刷版的方法 CN03148725富士胶片株式会社日本神奈川县　
设计相栅图形的方法，以及光掩模系统的制造方法 CN03142997三星电子株式会社韩国京畿道水原市　
液晶显示器件的图形及其形成方法 CN03142893LG.飞利浦LCD有限公司韩国汉城　
湿蚀刻装置 CN03145140统宝光电股份有限公司台湾省新竹科学工业园区苗栗县　
感光性平版印刷版前体及其处理方法 CN03149068柯尼卡株式会社日本东京都　
设计曝光装置孔径的模拟方法和系统和记录模拟法的介质 CN03149015三星电子株式会社韩国京畿道水原市　
密接型曝光装置 CN03145204株式会社阿迪泰克工程日本东京　
正性光致抗蚀剂组合物及抗蚀图形的形成方法 CN03143079东京应化工业株式会社日本神奈川县　
无尘室的制作程序机台配置 CN03148626友达光电股份有限公司台湾省新竹市　
光阻剥离方法 CN03137356铼宝科技股份有限公司台湾省新竹县湖口乡新竹工业区光复北路12号　
压印掩模光刻 CN03142960惠普开发有限公司美国德克萨斯州　
不同层次的曝光方法 CN03142545旺宏电子股份有限公司台湾省新竹科学工业园区　
用于管理光刻镜上的光化光强瞬态变化的方法和设备 CN03142575ASML控股股份有限公司荷兰费尔德霍芬　
有光学元件的光刻投射装置、器件的生产方法及其器件 CN03133023ASML荷兰有限公司荷兰维尔德霍芬　
用于微光刻法的先进的照明系统 CN03142709ASML控股股份有限公司荷兰费尔德霍芬　
十字标记保持方法、十字标记保持装置以及曝光装置 CN03142811尼康株式会社;仙台尼康株式会社日本东京都　
光刻装置、器件的制造方法和由此制得的器件 CN03143879ASML荷兰有限公司荷兰维尔德霍芬　
光刻装置和器件的制造方法 CN03143859ASML荷兰有限公司荷兰维尔德霍芬　
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