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专利名称
专利号
A:人类生活需要
B:作业,运输
C:化学,冶金
D:纺织和造纸
E:固定构造
F:机械工程
G:物理
H:电学
分 类 >>
G:物理
>> 图纹面的照相制版工艺,例如:印刷工艺,半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
名称
专利号
申请者
地址
光罩、光罩的制成方法以及使用该光罩的图案形成方法
CN02805742
松下电器产业株式会社
日本大阪府
辐射敏感的折射率变化组合物以及变化折射率的方法
CN02157855
捷时雅株式会社
日本东京都
掩模图案校正装置和掩模图案校正方法、掩模制备方法和半导体器件生产方法
CN02806755
索尼公司
日本东京都
光刻装置及器件制造方法
CN02157430
ASML荷兰有限公司
荷兰维尔德霍芬
环保水溶性柔版曝光洗版机
CN02291367
朝日印刷器材有限公司;深圳市龙岗区龙岗南约朝日机械实业厂
香港新界葵涌大连排道21-33号宏达工业中心5字楼503室
应用多层光致抗蚀剂层结构的光刻工艺
CN02156379
联华电子股份有限公司
台湾省新竹科学工业园区
混合式光掩模的照相腐蚀制造方法
CN02156383
联华电子股份有限公司
台湾省新竹科学工业园区
一种制造器件的方法,所制造的器件及平版印刷装置
CN02128180
ASML荷兰有限公司
荷兰维尔德霍芬
采用直写纳米刻蚀印刷的固态部件的图案化
CN02827280
西北大学
美国伊利诺伊州
负性光刻胶树脂涂布液及其制备方法
CN02156639
中国科学院理化技术研究所
100101北京市朝阳区大屯路甲3号
显影活化液及其在制备高影象反差胶印版中的应用
CN02156641
中国科学院理化技术研究所
100101北京市朝阳区大屯路甲3号
具有高影像反差的卤化银乳剂及其制备方法和用途
CN02156642
中国科学院理化技术研究所
100101北京市朝阳区大屯路甲3号
图形发生器
CN02156430
中国科学院电工研究所
100080北京市海淀区中关村北二条6号
图形发生器
CN02289783
中国科学院电工研究所
100080北京市海淀区中关村北二条6号
多色调光掩模及其制造方法
CN02828000
杜邦光掩公司
美国得克萨斯州
辐射敏感的树脂组合物
CN02810029
捷时雅株式会社
日本东京
光致抗蚀剂用显影液
CN02827571
罗姆和哈斯电子材料有限责任公司
美国马萨诸塞
光致抗蚀剂用显影液
CN02827572
罗姆和哈斯电子材料有限责任公司
美国马萨诸塞州
显影液组合物及其应用方法
CN02156178
奇美实业股份有限公司
台湾省台南县仁德乡三甲村59-1号
工件构图方法和装置
CN02825034
麦克罗尼克激光系统公司
瑞典泰比
形成光学图像的方法、本方法用的衍射部件、实行所述方法的设备
CN02825084
皇家飞利浦电子股份有限公司
荷兰艾恩德霍芬
平版印刷装置,器件的制造方法,由此制成的器件,和计算机程序
CN02139995
ASML荷兰有限公司
荷兰维尔德霍芬
图像形成方法和装置
CN02824519
麦克罗尼克激光系统公司
瑞典泰比
多光子光敏化系统
CN02826253
3M创新有限公司
美国明尼苏达州
一种平版印刷装置和器件的制造方法
CN02151875
ASML荷兰有限公司
荷兰维尔德霍芬
光刻胶掩模及其制作方法
CN02153956
中国科学院光电技术研究所
610209四川省成都市双流350信箱
化学增幅型正性抗蚀剂组合物
CN02154063
住友化学工业株式会社
日本国大阪府
一种无掩模纳米图形制作方法及其制作装置
CN02153955
中国科学院光电技术研究所
610209四川省成都市双流350信箱
在0相与180相区域周围形成边界区域以增强透明电场相移位光罩的方法
CN02824773
先进微装置公司
美国加利福尼亚州
增强相移位光罩的方法
CN02824783
先进微装置公司
美国加利福尼亚州
掩膜形成方法及去除方法、以及由该方法制造的半导体器件、电路、显示体模件、滤色器及发光元件
CN02802973
精工爱普生株式会社
日本东京
光敏组合物和平版印刷版原版
CN200610071800
富士胶片株式会社
日本神奈川县
含硅193nm负性光刻胶及其成膜树脂
CN200610039655
苏州华飞微电子材料有限公司
215011江苏省苏州市苏州新区灵岩街16号
用喷头涂抹光胶的方法
CN200610046309
欣欣科技(沈阳)有限公司
110179辽宁省沈阳市浑南产业区世纪路1号A1201
接近型曝光装置
CN200510132967
LG.菲利浦LCD株式会社
韩国首尔
使用两块掩模版实现连续扫描对两图形曝光的方法
CN200610025629
上海集成电路研发中心有限公司;上海华虹(集团)有限公司
201203上海市张江高科技园区碧波路177号华虹科技园4楼
曝光装置和曝光方法
CN200610065501
东丽工程株式会社
日本东京
利用三道掩膜制造液晶显示装置用下基板的方法
CN200610076368
广辉电子股份有限公司
台湾省桃园县
减压干燥装置
CN200510129603
大日本网目版制造株式会社
日本京都府
用于制造电子薄膜元件的方法和设备以及电子薄膜元件
CN200480023159
阿万托尼有限公司
芬兰坦佩雷
用于电子基平版印刷术的高灵敏性抗蚀剂组合物
CN02829997
国际商业机器公司
美国纽约阿芒克
灰色调掩模和薄膜晶体管基板的制造方法
CN200610065456
HOYA株式会社
日本东京
光刻胶组合物
CN200510128706
罗门哈斯电子材料有限公司
美国马萨诸塞州
平版印刷版原版及其制造方法
CN200610067384
富士胶片株式会社
日本神奈川县
用于确定Z位置误差/变化以及基板台平整度的光刻装置和方法
CN200510121712
ASML荷兰有限公司
荷兰维尔德霍芬
光刻设备以及装置制造方法
CN200510138033
ASML荷兰有限公司
荷兰维尔德霍芬
曝光装置及曝光方法和配线印制电路板的制造方法
CN200610008031
日立比亚机械股份有限公司
日本神奈川县
图形曝光方法及装置
CN200610008345
日立比亚机械股份有限公司
日本神奈川
用光学线性元件一次成形制造圆光栅的方法及装置
CN200610013550
天津师范大学
300074天津市卫津路241号天津师范大学物理与电子信息学院
一种复合减振式光刻装置
CN200610025895
上海微电子装备有限公司
201203上海市张江高科技园区张东路1525号
在氧化锌薄膜上绘制亚微米级紫外发光图案的方法
CN200610049580
浙江大学
310027浙江省杭州市西湖区浙大路38号
利用电子束的薄层高分辨率加工方法
CN200480023882
纳沃技术有限公司
德国罗斯多夫
掩模版用透光性基板的制造方法、掩模版的制造方法、曝光用掩模的制造方法、半导体装置的制造方法以及液晶显示装置的制造方法以及曝光用掩模的缺陷修正方法
CN200580000745
HOYA株式会社
日本东京都
光掩模涂层
CN200480023994
3M创新有限公司
美国明尼苏达州
一种前体糊剂及其生产方法
CN200480024065
3M创新有限公司
美国明尼苏达州
用于为浸润式光刻提供限制液体的设备与方法
CN200480018019
兰姆研究有限公司
美国加利福尼亚州
处理成像材料的设备及方法
CN03827068
柯达彩色绘图有限责任公司
德国奥斯特罗德
用于微电子设备的剥离和清洁组合物
CN200480023835
马林克罗特贝克公司
美国密苏里州
基板和基板的抛光方法
CN200610079385
株式会社小原
日本神奈川县
曝光方法和网目调型移相掩模
CN200610073208
株式会社液晶先端技术开发中心
日本神奈川县
用于制造半导体器件的光刻工艺的方法
CN200610074166
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾省新竹市
使用设计者意图数据检查晶片和掩模版的方法和系统
CN200480025041
恪纳腾技术公司
美国加利福尼亚州
衰减相移掩模坯体和光掩模
CN200480025506
肖特股份有限公司
德国美因茨
正型感光性组合物用显影液
CN200480025098
株工会社新克
日本国千叶县
光致抗蚀剂剥离液组合物、图案的制造方法和显示装置
CN200480024889
索尼株式会社;关东化学株式会社
日本东京都
光掩模及保护其光学性能的方法
CN200480024538
凸版光掩膜公司
美国德克萨斯州
掩模板玻璃衬底制造方法、掩模板制造方法、掩模制造方法、掩模板玻璃衬底、掩模板和掩模
CN200610071565
HOYA株式会社
日本东京都
着色感光性树脂组合物及其固化部件
CN200610066190
太阳油墨股份有限公司
日本东京都
光敏厚膜介电糊料组合物及使用该物质制造绝缘层的方法
CN200610073376
E.I.内穆尔杜邦公司
美国特拉华州
放射线敏感性树脂组合物、由该组合物形成的凸起体和间隔体,以及包含其的液晶显示元件
CN200610079427
JSR株式会社
日本东京都
放射线敏感性树脂组合物、由其形成的凸起和间隔物、以及具有它们的液晶显示元件
CN200610079434
JSR株式会社
日本东京都
放射线敏感性树脂组合物、由该组合物形成的突起和分隔物及其形成方法、及液晶显示元件
CN200610067014
JSR株式会社
日本国东京都
放射线敏感性树脂组合物、由该组合物形成的突起和分隔物及其形成方法、及液晶显示元件
CN200610067015
JSR株式会社
日本国东京都
放射线敏感性树脂组合物、由该组合物形成的突起和分隔物及其形成方法、及液晶显示元件
CN200610067016
JSR株式会社
日本国东京都
放射线敏感性树脂组合物、由该组合物形成的突起和分隔物及其形成方法、及液晶显示元件
CN200610067017
JSR株式会社
日本国东京都
正型抗蚀剂组合物及使用其形成抗蚀图形的方法
CN200610007163
东京应化工业株式会社
日本神奈川县
正型抗蚀剂组合物及使用其形成抗蚀图形的方法
CN200610007166
东京应化工业株式会社
日本神奈川县
适合作为酸生成剂的盐和包含该盐的化学放大型抗蚀组合物
CN200610077419
住友化学株式会社
日本东京都
适合作为酸发生剂的盐以及含有这种盐的化学放大的抗蚀组合物
CN200610077420
住友化学株式会社
日本东京都
曝光工作台以及曝光装置
CN200610066090
株式会社ORC制作所
日本东京
用于平板显示设备的曝光装置及使用其的曝光方法
CN200610066093
LG.菲利浦LCD株式会社
韩国首尔
外围曝光装置
CN200610066097
东丽工程株式会社
日本东京
用以动态控制特征尺寸的整合式光学量测与微影制程系统
CN200610066510
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾省新竹科学工业园区新竹市力行六路8号
利用具有热流动特性的负光刻胶层制造半导体的方法
CN200610066854
台湾积体电路制造股份有限公司
台湾省新竹科学工业园区力行六路八号
用于光刻应用的专用测量台
CN200610071179
ASML荷兰有限公司
荷兰维尔德霍芬
光刻装置、湿浸式投影装置和器件制造方法
CN200610071533
ASML荷兰有限公司
荷兰维尔德霍芬
光学元件、曝光设备和器件制造方法
CN200610071568
佳能株式会社
日本东京
光学元件和光照设备
CN200610071968
株式会社半导体能源研究所
日本神奈川县
光刻装置和采用数据过滤的器件制造方法
CN200610073329
ASML荷兰有限公司
荷兰维尔德霍芬
光刻装置、部件制造方法及其所制造的部件
CN200610077418
ASML荷兰有限公司
荷兰维尔德霍芬
显影方法及半导体装置的制造方法
CN200610076499
株式会社东芝
日本东京都
在抗蚀剂剥离室中从衬底上除去抗蚀剂的方法
CN200610071039
兰姆研究公司
美国加利福尼亚
化学放大型光致抗蚀剂组合物、光致抗蚀剂层层叠体、光致抗蚀剂组合物的制造方法、光致抗蚀图案的制造方法以及连接端子的制造方法
CN200480005670
东京应化工业株式会社
日本神奈川县
感光性树脂组合物、使用该组合物的感光性元件、抗蚀剂图案的形成方法及印刷电路板的制造方法以及光固化物的去除方法
CN200480024300
日立化成工业株式会社
日本东京都
光敏树脂组合物及使用该光敏树脂组合物的LCD
CN200580001001
LG化学株式会社
韩国首尔
含有聚酰胺酸的形成防反射膜的组合物
CN200480024583
日产化学工业株式会社
日本东京都
薄膜晶体管、薄膜晶体管的制造方法、以及显示器件的制造方法
CN200480024785
株式会社半导体能源研究所
日本神奈川
用于形成光学图像的控制电路和方法
CN200480024407
皇家飞利浦电子股份有限公司
荷兰艾恩德霍芬
形成光学图像的方法、用于执行所述方法的设备以及使用所述方法制作装置的处理
CN200480024417
皇家飞利浦电子股份有限公司
荷兰艾恩德霍芬
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